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  • SiC MOSFET
SiC MOSFET

SiC MOSFET

650℃,1.2MeV高温注入能力。
1:先进的碳膜保护及高温退火工艺。
2:业内领先的栅极氧化及缺陷控制技术。
3:业内领先的SiC沟槽刻蚀技术。
4:50微米超薄SiC晶圆BGBM工艺能力。
5:先进的APQP和6Sigma质量管理,产品线良率稳定。

产品优势:


  • 超高温处理能力(max.TJ = 200 °C)。

  • 极低的开关损耗(随温度变化影响最小)允许工作在非常高的开关频率。

  • 在温度范围内具有低导通电阻、易于驱动、稳定的超快速本体二极管。


应用市场:


清洁能源市场:

  • 光伏发电系统、风电系统等。

轨道交通:

  • 地铁、高铁。

商&工业市场:

  • UPS、通信电源、储能系统等。

医疗设备市场:

  • MRI电源、X光机电源。

航空市场:

  • 配电系统、空调系统等。

新能源车:

  • 外置充电器、车载充电器。 

  • 车载DC-DC转换器。

  • 动力电机驱动。

  • 能量回收。


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